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Feiju Microelectronics 
飛聚RFID和NFC
無需MCU雙接口計步傳感器跑步雞解決方案NFC芯片F(xiàn)8023
    發(fā)布時間: 2018-11-27 16:28    

F8023它除了有ISO/IEC15693的RF接口,還有I2C接觸式接口。接觸式接口可以用于和外部的MCU通信。利用這兩個接口之間的通信,可以實現(xiàn)快速的接口之間的數(shù)據(jù)交換。這兩個接口之間的通信可以利用內(nèi)部集成的SRAM作為數(shù)據(jù)緩沖,而不必局限于EE存儲器。

一、概述

F8023 是一款符合非接觸卡國際標準 ISO/IEC15693的遠距離讀寫電子標簽芯片,支持符合ISO/IEC15693 標準的讀寫模塊及讀卡機具,主要適用于航空包裹和行李識別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜等領域。該芯片工作頻率為13.56MHz,支持ISO/IEC-15693-2射頻接口協(xié)議,配合適當?shù)奶炀€其有效作用距離可達100cm,具備防沖突功能,能同時處理多個標簽。片內(nèi)EEPROM存儲空間,用戶區(qū)共分為32頁(block),每頁 32 位。另外有 64 位為唯一序列號,32 位用作特殊功能(AFI、DSFID 等)。

它除了有ISO/IEC15693的RF接口,還有I2C接觸式接口。接觸式接口可以用于和外部的MCU通信。利用這兩個接口之間的通信,可以實現(xiàn)快速的接口之間的數(shù)據(jù)交換。這兩個接口之間的通信可以利用內(nèi)部集成的SRAM作為數(shù)據(jù)緩沖,而不必局限于EE存儲器。

I2C接觸式接口還可以配置成主動模式。即本芯片可以部分替代MCU單片機的功能,主動發(fā)起I2C通信,對從屬I2C設備進行讀寫操作。

二、射頻接口

數(shù)據(jù)和能量以無線方式傳輸

 射頻接口完全符合ISO15693標準(ISO/IEC 15693)

工作頻率:13.56MHz

讀寫距離:可達150cm(取決于天線的幾何尺寸)

通訊速率:可達53Kbit/s

幀校驗方式:16位CRC 校驗

寫距離等于讀距離u 數(shù)據(jù)存儲格式識別(DSFID)

附加快速讀卡功能(同時防沖突) 

三、I2C接口

I2C接口支持100KHz到400KHz模式。

寫EE,一個塊4字節(jié),用時4.5ms

可以用于標準的I2C EE存儲器芯片


四、存儲器結構 

1024位用戶可用存儲空間,共分32塊,每塊4字節(jié)計32位

數(shù)據(jù)保持時間可達10年

 讀寫次數(shù)可達10萬次

 

五、其它功能特點

 具備防沖突功能

 支持應用類型識別(AFI)

 數(shù)據(jù)存儲格式識別(DSFID)

 EAS防盜功能

 AFI、EAS密鑰保護功能

 附加快速讀卡功能(同時防沖突)

 每個標簽具有唯一的芯片序列號以供識別

 每個用戶數(shù)據(jù)塊具有鎖定功能

 DSFID、AFI具有鎖定功能

 用戶區(qū)密鑰讀寫保護功能

 支持自毀功能

 支持CID定制功能

 可作為主動方,代替MCU的I2C仲裁機制

 直通模式(Pass-through)允許兩接口之間快速的上傳和下載數(shù)據(jù)。無次數(shù)限制。

 SRAM可映射至EE存儲器中以實現(xiàn)動態(tài)的NDEF數(shù)據(jù)更新。

 

六、結構框圖

F8023 原理圖

          

 

七、應用領域

航空包裹和行李識別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜。

 

八、電氣參數(shù)

絕對參數(shù)

符號

參數(shù)說明

最小值

最大值

單位

Tstg

儲存溫度范圍

-55

140

VESD

ESD 電壓

±2000

——

Vpeak

Imax LA-LB

最大輸入峰值電流

 

±60

mApeak

注*:ESD測試使用JESD22-A114(HBM模式)標準。


工作參數(shù)

符號

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

Tjop

工作結溫

-25

 

85

ILA-LB

天線間輸入電流

——

——

30

mArms

fop

載波頻率

13.553

13.56

13.567

MHz


電參數(shù)

符號

參數(shù)說明

最小值

典型值

最大值

單位

測試條件

Cres

芯片天線端口間輸入電容

22.3

23.5

24.8

pF

采用HP4285A儀器,天線端口間輸入電壓為2V rms,工作頻率13.56MHz

Pmin

芯片可工作的最小輸入功率

 

280

 

uW

 

Load Modulation Deepth

負載調(diào)制深度

10

 

 

mv

參見ISO/IEC 10373-7

tret

EEPROM數(shù)據(jù)保存時間

10

 

 

Tamb≤55℃

nwrite

EEPROM讀寫次數(shù)

100000

 

 

25℃




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