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飛聚RFID和NFC
大容量防沖突無(wú)人零售NFC芯片F(xiàn)8002-2048
    發(fā)布時(shí)間: 2018-11-27 16:25    

配合適當(dāng)?shù)奶炀€其有效作用距離可達(dá)2500px,具備防沖突功能,能同時(shí)處理多個(gè)標(biāo)簽。片內(nèi)EEPROM存儲(chǔ)空間,共分為68頁(yè)(block),每頁(yè) 32 位。其中 64 位為唯一序列號(hào),32 位用作特殊功能(AFI、DSFID 等),32位用于頁(yè)鎖定,其余64頁(yè)(block)共2048位為用戶使用區(qū)。


一、概述

F8002-2048 是一款符合非接觸卡國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ISO/IEC15693的遠(yuǎn)距離讀寫(xiě)電子標(biāo)簽芯片,支持符合ISO/IEC15693 標(biāo)準(zhǔn)的讀寫(xiě)模塊及讀卡機(jī)具,主要適用于航空包裹和行李識(shí)別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜等領(lǐng)域。該芯片工作頻率為13.56MHz,支持ISO/IEC-15693-2射頻接口協(xié)議,配合適當(dāng)?shù)奶炀€其有效作用距離可達(dá)100cm,具備防沖突功能,能同時(shí)處理多個(gè)標(biāo)簽。片內(nèi)EEPROM存儲(chǔ)空間,共分為68頁(yè)(block),每頁(yè) 32 位。其中 64 位為唯一序列號(hào),32 位用作特殊功能(AFI、DSFID 等),32位用于頁(yè)鎖定,其余64頁(yè)(block)共2048位為用戶使用區(qū)。
 

二、射頻接口

數(shù)據(jù)和能量以無(wú)線方式傳輸

射頻接口完全符合ISO15693標(biāo)準(zhǔn)(ISO/IEC 15693)

工作頻率:13.56MHz

讀寫(xiě)距離:可達(dá)150cm(取決于天線的幾何尺寸)

通訊速率:可達(dá)53Kbit/s

幀校驗(yàn)方式:16位CRC 校驗(yàn)

具備防沖突功能

支持應(yīng)用類型識(shí)別(AFI)

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式識(shí)別(DSFID)

附加快速讀卡功能(同時(shí)防沖突)

寫(xiě)距離等于讀距離

 

 

三、存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

2048位用戶可用存儲(chǔ)空間,共分64塊,每塊4字節(jié)計(jì)32位

數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá)10年

讀寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次

 

四、安全性

每個(gè)標(biāo)簽具有唯一的芯片序列號(hào)以供識(shí)別

每個(gè)用戶數(shù)據(jù)塊具有鎖定功能

DSFID、AFI具有鎖定功能

 

 

五、結(jié)構(gòu)框圖

 F8002-2048原理圖

          

 

六、應(yīng)用領(lǐng)域

航空包裹和行李識(shí)別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜

七、電氣參數(shù)

絕對(duì)參數(shù)

符號(hào)

參數(shù)說(shuō)明

最小值

最大值

單位

 

 

 

 

 

VESD

ESD 電壓

±2000

——

Vpeak

Imax LA-LB

最大輸入峰值電流

 

±60

mApeak

注*:ESD測(cè)試使用JESD22-A114(HBM模式)標(biāo)準(zhǔn)。


工作參數(shù)

符號(hào)

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

Tjop

工作結(jié)溫

-25

 

85

ILA-LB

天線間輸入電流

——

——

30

mArms

fop

載波頻率

13.553

13.56

13.567

MHz


電參數(shù)

符號(hào)

參數(shù)說(shuō)明

最小值

典型值

最大值

單位

測(cè)試條件

Cres

芯片天線端口間輸入電容

22.3

23.5

24.8

pF

采用HP4285A儀器,天線端口間輸入電壓為2V rms,工作頻率13.56MHz

Pmin

芯片可工作的最小輸入功率

 

280

 

uW

 

Load Modulation Deepth

負(fù)載調(diào)制深度

10

 

 

mv

參見(jiàn)ISO/IEC 10373-7

tret

EEPROM數(shù)據(jù)保存時(shí)間

10

 

 

Tamb≤55℃

nwrite

EEPROM讀寫(xiě)次數(shù)

100000

 

 

25℃

 




 



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