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Feiju Microelectronics 
飛聚RFID和NFC
高頻電子標(biāo)簽NFC芯片F(xiàn)8019
    發(fā)布時(shí)間: 2018-11-27 16:36    

配合適當(dāng)?shù)奶炀€其有效作用距離可達(dá)2500px,具備防沖突功能,能同時(shí)處理多個(gè)標(biāo)簽。片內(nèi)EEPROM用戶區(qū)存儲空間,共分為64塊(block),每塊 32 位,共2048位。配置區(qū)的64 位為唯一序列號,640 位用作特殊功能(AFI、DSFID、存儲密鑰等),64位用于頁鎖定。認(rèn)證和加密采用國產(chǎn)SM7算法和專有定制算法。


一、概述

F8019 是一款符合非接觸卡國際標(biāo)準(zhǔn) ISO/IEC15693的遠(yuǎn)距離讀寫電子標(biāo)簽芯片,支持符合ISO/IEC15693 標(biāo)準(zhǔn)的讀寫模塊及讀卡機(jī)具,主要適用于航空包裹和行李識別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜等領(lǐng)域。該芯片工作頻率為13.56MHz,支持ISO/IEC-15693-2射頻接口協(xié)議,配合適當(dāng)?shù)奶炀€其有效作用距離可達(dá)100cm,具備防沖突功能,能同時(shí)處理多個(gè)標(biāo)簽。片內(nèi)EEPROM用戶區(qū)存儲空間,共分為64塊(block),每塊 32 位,共2048位。配置區(qū)的64 位為唯一序列號,640 位用作特殊功能(AFI、DSFID、存儲密鑰等),64位用于頁鎖定。認(rèn)證和加密采用國產(chǎn)SM7算法和專有定制算法。

二、射頻接口

數(shù)據(jù)和能量以無線方式傳輸

射頻接口完全符合ISO15693標(biāo)準(zhǔn)(ISO/IEC 15693)

工作頻率:13.56MHz

通訊速率:可達(dá)53Kbit/s

幀校驗(yàn)方式:16位CRC 校驗(yàn)

具備防沖突功能

快速防沖突讀功能

支持應(yīng)用類型識別(AFI)

數(shù)據(jù)存儲格式識別(DSFID)

附加快速讀卡功能(同時(shí)防沖突)

寫距離等于讀距離

三、存儲器結(jié)構(gòu)

2048位用戶可用存儲空間,共分64塊,每塊4字節(jié)計(jì)32位,每4塊組成1頁(Page)

數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá)10年

讀寫次數(shù)可達(dá)10萬次


四、安全性
 

每個(gè)標(biāo)簽具有唯一的芯片序列號以供識別

每個(gè)用戶數(shù)據(jù)塊具有鎖定功能

DSFID、AFI具有鎖定功能

分區(qū)雙算法、雙密鑰保護(hù)功能

可分別分塊對用戶區(qū)進(jìn)行讀、寫保護(hù)

128位讀密鑰保護(hù)功能

128位寫密鑰保護(hù)功能

128位EAS密鑰保護(hù)功能

128位私有模式密鑰保護(hù)功能

128位自毀密鑰保護(hù)功能

安全參數(shù)、密鑰可寫不可讀

支持雙向認(rèn)證和單向認(rèn)證

認(rèn)證和加密采用國產(chǎn)SM7算法和專有定制算法

內(nèi)置真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器

 
五、結(jié)構(gòu)框圖

F8019 原理圖

          

 

六、應(yīng)用領(lǐng)域

航空包裹和行李識別、郵件分選、商品流通控制以及電子防盜。

 

 七、電氣參數(shù)

絕對參數(shù)

符號

參數(shù)說明

最小值

最大值

單位

Tstg

儲存溫度范圍

-55

140

VESD

ESD 電壓

±2000

——

Vpeak

Imax LA-LB

最大輸入峰值電流

 

±60

mApeak

*:ESD測試使用JESD22-A114(HBM模式)標(biāo)準(zhǔn)。


工作參數(shù)

符號

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

Tjop

工作結(jié)溫

-25

 

85

ILA-LB

天線間輸入電流

——

——

30

mArms

fop

載波頻率

13.553

13.56

13.567

MHz



電參數(shù)

符號

參數(shù)說明

最小值

典型值

最大值

單位

測試條件

Cres

芯片天線端口間輸入電容

22.3

23.5

24.8

pF

采用HP4285A儀器,天線端口間輸入電壓為2V rms,工作頻率13.56MHz

Pmin

芯片可工作的最小輸入功率

 

280

 

uW

 

Load Modulation Deepth

負(fù)載調(diào)制深度

10

 

 

mv

參見ISO/IEC 10373-7

tret

EEPROM數(shù)據(jù)保存時(shí)間

10

 

 

Tamb≤55℃

nwrite

EEPROM讀寫次數(shù)

100000

 

 

25℃

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